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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.46 | Samacsys Description： | MOSFET N-Ch 250V 5A DPAK-2 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 13 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.43 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD600N25N3 G | INFINEON |
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英飞凌 250V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，完全适合在 48V 系统、直 |
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| IPD600N25N3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor |
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| IPD600N25N3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 250V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPD600N25N3GBTMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 250V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPD60N10S4-12 | INFINEON |
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? ? ? 仿真/SPICE 型号 |
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| IPD60N10S4L-12 | INFINEON |
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| IPD60R145CFD7 | INFINEON |
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600V CoolMOS? CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj |
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| IPD60R145CFD7ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IPD60R170CFD7 | INFINEON |
获取价格 |
600V CoolMOS? CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj |
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| IPD60R170CFD7ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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