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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252AA | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 7.44 |
| 其他特性： | ULTRA LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级（Eas）： | 60 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | 最大漏源导通电阻： | 0.038 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD30N06S4L-23 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPD30N06S4L23ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPD30N08S2-22 | INFINEON |
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OptiMOS Power-Transistor |
|
| IPD30N08S2L-21 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
|
| IPD30N08S2L21ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 75V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IPD30N10S3L-34 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPD30N12S3L-31 | INFINEON |
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车规级MOSFET |
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| IPD320N20N3 G | INFINEON |
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英飞凌 200V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，适合在 48V 系统、直流- |
|
| IPD320N20N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOSTM3 Power-Transistor |
|
| IPD320N20N3GBTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 200V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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