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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.69 | 雪崩能效等级（Eas）： | 55 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 90 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 90 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0049 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 94 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD036N04LGBTMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPD038N04NG | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| IPD038N04NGBTMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPD038N06N3 G | INFINEON |
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OptiMOS ™ 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器 |
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| IPD038N06N3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| IPD038N06N3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPD038N06NF2S | INFINEON |
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Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 60 V f |
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| IPD03N03LA | INFINEON |
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Ideal for high-frequency dc/dc converters Qualified according to JEDEC for target applicat |
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| IPD03N03LAG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPD03N03LB | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS 2 Power-Transistor |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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