是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | End Of Life | 零件包装代码: | TO-252 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 6.29 | 其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
雪崩能效等级(Eas): | 55 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 40 V |
最大漏极电流 (ID): | 90 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0049 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 400 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRLR3114ZPBF | INFINEON |
类似代替 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPD038N04NG | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor | |
IPD038N04NGBTMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPD038N06N3 G | INFINEON |
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OptiMOS ™ 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选,例如服务器 | |
IPD038N06N3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor | |
IPD038N06N3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPD038N06NF2S | INFINEON |
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Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 60 V f | |
IPD03N03LA | INFINEON |
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Ideal for high-frequency dc/dc converters Qualified according to JEDEC for target applicat | |
IPD03N03LAG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor | |
IPD03N03LB | INFINEON |
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OptiMOS 2 Power-Transistor | |
IPD03N03LBG | INFINEON |
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OptiMOS 2 Power-Transistor |