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IPD035N06L3G

更新时间: 2024-11-18 11:08:43
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 446K
描述
OptiMOS3 Power-Transistor

IPD035N06L3G 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-252AA
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.81其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas):165 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):90 A最大漏极电流 (ID):162 A
最大漏源导通电阻:0.0035 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252AAJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):167 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):360 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPD035N06L3G 数据手册

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IPD035N06L3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPD025N06N INFINEON

完全替代

New OptiMOS™ 40V and 60V
IPD053N06N INFINEON

功能相似

New OptiMOS™ 40V and 60V

与IPD035N06L3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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IPD036N04LGBTMA1 INFINEON

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Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 60 V f