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IPD035N06L3G

更新时间： 2024-11-07 11:08:43

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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OptiMOS3 Power-Transistor

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IPD035N06L3G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.81	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	165 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	90 A	最大漏极电流 (ID)：	162 A
最大漏源导通电阻：	0.0035 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	167 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	360 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPD035N06L3G 数据手册

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IPD035N06L3G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPD025N06N	INFINEON	完全替代	New OptiMOSâ¢ 40V and 60V
IPD053N06N	INFINEON	功能相似	New OptiMOSâ¢ 40V and 60V

与IPD035N06L3G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPD036N04L G	INFINEON	获取价格	OptiMOS™ 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器和
IPD036N04LG	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power-Transistor
IPD036N04LGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD036N04LGBTMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD038N04NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power-Transistor
IPD038N04NGBTMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD038N06N3 G	INFINEON	获取价格	OptiMOS ™ 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器
IPD038N06N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power-Transistor
IPD038N06N3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD038N06NF2S	INFINEON	获取价格	Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 60 V f

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