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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.65 | 雪崩能效等级（Eas）： | 290 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 80 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 60 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 60 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0057 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 39 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPA057N08N3GXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 80V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPA060N06N | INFINEON |
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OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V |
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| IPA060N06N_16 | INFINEON |
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OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V |
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| IPA060N06NM5S | INFINEON |
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This OptiMOS? 5 power MOSFET 60V in TO-220 FullPAK (IPA060N06NM5S) is designed to meet the |
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| IPA060N06NXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPA0618 | RFE |
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THRU-HOLE INDUCTORS IPA Series & IPR Series |
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| IPA075N15N3 G | INFINEON |
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与次优竞品相比，150V OptiMOS? R DS(on) 降低 40%，品质因数 (F |
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| IPA075N15N3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| IPA082N10NF2S | INFINEON |
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英飞凌?StrongIRFET? 2 功率 MOSFET?100V 产品的 RDS(on) |
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| IPA083N10N5 | INFINEON |
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Infineon’s OptiMOS? 5 industrial power MOSFET |
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