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IPA105N15N3GXKSA1

更新时间: 2024-11-18 20:01:23
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英飞凌 - INFINEON 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 551K
描述
Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 150V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220-FP, 3 PIN

IPA105N15N3GXKSA1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:18 weeks风险等级:2.23
雪崩能效等级(Eas):740 mJ外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:150 V
最大漏极电流 (ID):37 A最大漏源导通电阻:0.0105 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):148 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IPA105N15N3GXKSA1 数据手册

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IPA105N15N3 G  
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Product Summary  
Features  
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Type  
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Package  
Marking  
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