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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.66 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 90 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 35 A | 最大漏极电流 (ID)： | 35 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0126 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 33 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 140 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPA126N10N3GXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.0126ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPA126N10NM3S | INFINEON |
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Infineon’s OptiMOS? 3 power MOSFET 100V is de |
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| IPA-15805-10 | ETC |
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Preamp， Non-Audio |
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| IPA-15805-11 | ETC |
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Preamp， Non-Audio |
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| IPA-15805-12 | ETC |
获取价格 |
Preamp， Non-Audio |
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| IPA-15805-30 | ETC |
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Preamp， Non-Audio |
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| IPA1764/460 | ETC |
获取价格 |
Preamp， Non-Audio |
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| IPA1764/460B | ETC |
获取价格 |
Preamp， Non-Audio |
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| IPA1764/560 | ETC |
获取价格 |
Preamp， Non-Audio |
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| IPA1764460B | ADI |
获取价格 |
IC SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, DIP18, 19.70 X 24.80 MM, 4.50 MM HEIGHT, HYBRID, METAL CASE, |
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