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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 8.62 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 59 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 28 A | 最大漏极电流 (ID)： | 28 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 112 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPA180N10N3GXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPA2008DSL2-RSVFA | AMPHENOL |
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RF/Microwave Amplifier, |
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| IPA2008DSL2-VFA | AMPHENOL |
获取价格 |
RF/Microwave Amplifier, |
|
| IPA320N20NM3S | INFINEON |
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This OptiMOS™ 3 200V (IPA320N020NM3S) MOSFET |
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| IPA50R140CP | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor |
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| IPA50R140CPXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPA50R190CE | INFINEON |
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500V CoolMOS⢠CE Power MOSFET |
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| IPA50R190CEXKSA2 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IPA50R199CP | INFINEON |
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CoolMos Power Transistor |
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| IPA50R199CPXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 500V, 0.199ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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