5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IPA60R060P7XKSA1
IPA60R060P7XKSA1 PDF预览

IPA60R060P7XKSA1

更新时间： 2024-01-12 19:50:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 1151K
描述
Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220FP, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

IPA60R060P7XKSA1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：2.21雪崩能效等级（Eas）：159 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏源导通电阻：0.06 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：151 A
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPA60R060P7XKSA1 数据手册

 浏览型号IPA60R060P7XKSA1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPA60R060P7XKSA1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPA60R060P7XKSA1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPA60R060P7XKSA1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPA60R060P7XKSA1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPA60R060P7XKSA1的Datasheet PDF文件第7页 
IPA60R060P7  
MOSFET  
PG-TOꢀ220ꢀFP  
600VꢀCoolMOSªꢀP7ꢀPowerꢀTransistor  
TheꢀCoolMOS™ꢀ7thꢀgenerationꢀplatformꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀfor  
highꢀvoltageꢀpowerꢀMOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunction  
(SJ)ꢀprincipleꢀandꢀpioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀTheꢀ600V  
CoolMOS™ꢀP7ꢀseriesꢀisꢀtheꢀsuccessorꢀtoꢀtheꢀCoolMOS™ꢀP6ꢀseries.ꢀIt  
combinesꢀtheꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀSJꢀMOSFETꢀwithꢀexcellentꢀease  
ofꢀuse,ꢀe.g.ꢀveryꢀlowꢀringingꢀtendency,ꢀoutstandingꢀrobustnessꢀofꢀbody  
diodeꢀagainstꢀhardꢀcommutationꢀandꢀexcellentꢀESDꢀcapability.  
Furthermore,ꢀextremelyꢀlowꢀswitchingꢀandꢀconductionꢀlossesꢀmake  
switchingꢀapplicationsꢀevenꢀmoreꢀefficient,ꢀmoreꢀcompactꢀandꢀmuch  
cooler.  
Features  
Drain  
Pin 2, Tab  
•ꢀSuitableꢀforꢀhardꢀandꢀsoftꢀswitchingꢀ(PFCꢀandꢀLLC)ꢀdueꢀtoꢀanꢀoutstanding  
ꢀꢁcommutationꢀruggedness  
•ꢀSignificantꢀreductionꢀofꢀswitchingꢀandꢀconductionꢀlosses  
•ꢀExcellentꢀESDꢀrobustnessꢀ>2kVꢀ(HBM)ꢀforꢀallꢀproducts  
•ꢀBetterꢀRDS(on)/packageꢀproductsꢀcomparedꢀtoꢀcompetitionꢀenabledꢀbyꢀa  
ꢀꢁlowꢀRDS(on)*Aꢀ(belowꢀ1Ohm*mm²)  
Gate  
Pin 1  
Source  
Pin 3  
•ꢀLargeꢀportfolioꢀwithꢀgranularꢀRDS(on)ꢀselectionꢀqualifiedꢀforꢀaꢀvarietyꢀof  
ꢀꢁindustrialꢀandꢀconsumerꢀgradeꢀapplicationsꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC  
ꢀꢁ(J-STD20ꢀandꢀJESD22)  
Benefits  
•ꢀEaseꢀofꢀuseꢀandꢀfastꢀdesign-inꢀthroughꢀlowꢀringingꢀtendencyꢀandꢀusage  
ꢀꢁacrossꢀPFCꢀandꢀPWMꢀstages  
•ꢀSimplifiedꢀthermalꢀmanagementꢀdueꢀtoꢀlowꢀswitchingꢀandꢀconduction  
ꢀꢁlosses  
•ꢀIncreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutionsꢀenabledꢀbyꢀusingꢀproductsꢀwith  
ꢀꢁsmallerꢀfootprintꢀandꢀhigherꢀmanufacturingꢀqualityꢀdueꢀtoꢀ>2ꢀkVꢀESD  
ꢀꢁprotection  
•ꢀSuitableꢀforꢀaꢀwideꢀvarietyꢀofꢀapplicationsꢀandꢀpowerꢀranges  
Applications  
PFCꢀstages,ꢀhardꢀswitchingꢀPWMꢀstagesꢀandꢀresonantꢀswitchingꢀstages  
forꢀe.g.ꢀꢀꢀPCꢀSilverbox,ꢀAdapter,ꢀLCDꢀ&ꢀPDPꢀTV,ꢀLighting,ꢀServer,ꢀTelecom  
andꢀUPS.  
Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate  
orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
VDS @ Tj,max  
RDS(on),max  
Qg.typ  
Value  
650  
60  
Unit  
V
mΩ  
nC  
A
67  
ID,pulse  
151  
7.1  
Eoss@400V  
Body diode di/dt  
µJ  
900  
A/µs  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
PG-TO 220 FullPAK  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IPA60R060P7  
60R060P7  
see Appendix A  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2017-05-18  
1234567...14

中文翻译

下载PDF

与IPA60R060P7XKSA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPA60R080P7 INFINEON

获取价格

 		600V CoolMOS? P7?超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS
IPA60R099C6 INFINEON

获取价格

 		Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPA60R099C6XKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 37.9A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPA60R099C7 INFINEON

获取价格

 		Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPA60R099C7_15 INFINEON

获取价格

 		Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPA60R099P6 INFINEON

获取价格

 		英飞凌 CoolMOS™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率，同时易于在
IPA60R099P6XKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IPA60R099P7 INFINEON

获取价格

 		600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS
IPA60R099P7XKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide
IPA60R120C7 INFINEON

获取价格

 		600V CoolMOS? C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS? C

与IPA60R060P7XKSA1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证