是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | Factory Lead Time: | 1 week |
风险等级: | 2.27 | 雪崩能效等级(Eas): | 129 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏源导通电阻: | 0.5 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 24 A | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPA50R500CEXKSA2 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se | |
IPA50R520CP | INFINEON |
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CoolMos Power Transistor | |
IPA50R650CE | INFINEON |
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500V CoolMOS⢠CE Power MOSFET | |
IPA50R800CE | INFINEON |
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500V CoolMOS⢠CE Power MOSFET | |
IPA50R950CE | INFINEON |
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500V CoolMOS⢠CE Power MOSFET | |
IPA50R950CEXKSA2 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S | |
IPA600N25NM3S | INFINEON |
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The OptiMOS? 3 MOSFET 250V in TO-220 FullPAK | |
IPA60R060C7 | INFINEON |
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600V CoolMOS™ C7 超级结(SJ)MOSFET 系列比 CoolMOS™ C | |
IPA60R060P7 | INFINEON |
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600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS | |
IPA60R060P7XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |