5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IPA60R120C7
IPA60R120C7 PDF预览

IPA60R120C7

更新时间： 2023-12-06 20:07:53
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关功率因数校正
页数 文件大小 规格书
14页 1161K
描述
600V CoolMOS? C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS? CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！

阅读下载

中文翻译

获取价格

IPA60R120C7 数据手册

 浏览型号IPA60R120C7的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPA60R120C7的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPA60R120C7的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPA60R120C7的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPA60R120C7的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPA60R120C7的Datasheet PDF文件第7页 
IPA60R120C7  
MOSFET  
PG-TOꢀ220ꢀFP  
600VꢀCoolMOSªꢀC7ꢀPowerꢀDevice  
CoolMOS™ꢀC7ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower  
MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand  
pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.  
600VꢀCoolMOS™ꢀC7ꢀseriesꢀcombinesꢀtheꢀexperienceꢀofꢀtheꢀleadingꢀSJ  
MOSFETꢀsupplierꢀwithꢀhighꢀclassꢀinnovation.  
Theꢀ600VꢀC7ꢀisꢀtheꢀfirstꢀtechnologyꢀeverꢀwithꢀRDS(on)*Aꢀbelowꢀ1Ohm*mm².  
Features  
•ꢀSuitableꢀforꢀhardꢀandꢀsoftꢀswitchingꢀ(PFCꢀandꢀhighꢀperformanceꢀLLC)  
•ꢀIncreasedꢀMOSFETꢀdv/dtꢀruggednessꢀtoꢀ120V/ns  
•ꢀIncreasedꢀefficiencyꢀdueꢀtoꢀbestꢀinꢀclassꢀFOMꢀRDS(on)*EossꢀandꢀRDS(on)*Qg  
•ꢀBestꢀinꢀclassꢀRDS(on)ꢀ/package  
Drain  
Pin 2  
*1  
Gate  
Pin 1  
Benefits  
•ꢀIncreasedꢀeconomiesꢀofꢀscaleꢀbyꢀuseꢀinꢀPFCꢀandꢀPWMꢀtopologiesꢀinꢀthe  
application  
Source  
Pin 3  
*1: Internal body diode  
•ꢀHigherꢀdv/dtꢀlimitꢀenablesꢀfasterꢀswitchingꢀleadingꢀtoꢀhigherꢀefficiency  
•ꢀEnablingꢀhigherꢀsystemꢀefficiencyꢀbyꢀlowerꢀswitchingꢀlosses  
•ꢀIncreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutionsꢀdueꢀtoꢀsmallerꢀpackages  
•ꢀSuitableꢀforꢀapplicationsꢀsuchꢀasꢀserver,ꢀtelecomꢀandꢀsolar  
•ꢀHigherꢀswitchingꢀfrequenciesꢀpossibleꢀwithoutꢀlossꢀinꢀefficiencyꢀdueꢀto  
lowꢀEossꢀandꢀQg  
Potentialꢀapplications  
PFCꢀstagesꢀandꢀPWMꢀstagesꢀ(TTF,ꢀLLC)ꢀforꢀhighꢀpower/performance  
SMPSꢀe.g.ꢀComputing,ꢀServer,ꢀTelecom,ꢀUPSꢀandꢀSolar.  
Productꢀvalidation  
FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications  
Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate  
orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
VDS @ Tj,max  
RDS(on),max  
Qg.typ  
Value  
650  
120  
34  
Unit  
V
mΩ  
nC  
A
ID,pulse  
66  
ID,continuous @ Tj<150°C 31  
A
Eoss@400V  
4
µJ  
Body diode di/dt  
360  
A/µs  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
PG-TO 220 FullPAK  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IPA60R120C7  
60C7120  
see Appendix A  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2020-01-29  
1234567...14

中文翻译

下载PDF

与IPA60R120C7相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPA60R120P7 INFINEON

获取价格

 		600V CoolMOS? P7?超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS
IPA60R120P7XKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPA60R125C6 INFINEON

获取价格

 		Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPA60R125C6XKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPA60R125CFD7 INFINEON

获取价格

 		600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj
IPA60R125CP INFINEON

获取价格

 		CoolMOS Power Transistor
IPA60R125CP_07 INFINEON

获取价格

 		CoolMos Power Transistor
IPA60R125CPXKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPA60R125P6 INFINEON

获取价格

 		Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPA60R145CFD7 INFINEON

获取价格

 		600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj

与IPA60R120C7相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证