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IPA50R950CE

更新时间： 2024-01-27 18:04:00

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英飞凌 - INFINEON		/
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2页	1164K
描述
500V CoolMOSâ¢ CE Power MOSFET

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IPA50R950CE 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.32
雪崩能效等级（Eas）：	68 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏源导通电阻：	0.95 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12.8 A	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPA50R950CE 数据手册

Product Brief

Features

Reduced energy stored in output

capacitance (E_oss

)

500V CoolMOS™ CE Power MOSFET

High body diode ruggedness

Reduced reverse recovery charge (Q_rr)

Reduced gate charge (Q_g)

The CoolMOS™ CE is a new technology platform of Inﬁneon’s market leading

high voltage power MOSFETs designed according to the revolutionary

superjunction (SJ) principle.

Beneﬁts

Easy control of switching behavior

Improved light load eﬃciency

500V CE portfolio provides all beneﬁts of a fast switching SJ MOSFET while not

sacriﬁcing ease of use. As the complete CE series, devices achieve extremely

low conduction and switching losses and can make switching applications

more eﬃcient, more compact, lighter and cooler.

compared to previous CoolMOS™

generations

Cost attractive alternative compared

to standard MOSFETs

Outstanding reliability with proven

CoolMOS™ quality combined with

high body diode ruggedness

Efficiency comparison 500V CoolMOS™ CE vs competitor standard MOSFET

CCM PFC stage, 90VAC up to 400W

Applications

IPP50R280CE vs. Standard MOS

eﬃciency @ VIN=90VAC; plug&play scenario;

R_g,ext=5Ω ; f=100kHz; V_OUT=400VDC

IPP50R280CE vs. Standard MOS

delta eﬃciency @ V_IN=90VAC; plug&play scenario;

R_g,ext=5Ω ; f=100kHz; V_OUT=400VDC

Consumer

Lighting

0,6

0,4

PC Silverbox

IPP50R280CE

Standard MOS

IPP50R280CE

Standard MOS

0,2

0,0

50 100 150 200 250 300 350 400

-0,2

-0,4

-0,6

-0,8

-1,0

40% Q_greduction

P_OUT[W]

www.inﬁneon.com/ce

中文翻译

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IPA50R950CE 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SPA04N50C3XKSA1	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SPA04N50C3	INFINEON	类似代替	Cool MOS™ Power Transistor

与IPA50R950CE相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPA50R950CEXKSA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPA600N25NM3S	INFINEON	获取价格	The OptiMOS? 3 MOSFET 250V in TO-220 FullPAK
IPA60R060C7	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ C
IPA60R060P7	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS
IPA60R060P7XKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPA60R080P7	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS? P7?超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS
IPA60R099C6	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPA60R099C6XKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 37.9A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPA60R099C7	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPA60R099C7_15	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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