是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 8.57 |
雪崩能效等级(Eas): | 102 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (ID): | 6.1 A | 最大漏源导通电阻: | 0.65 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 19 A |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPA50R800CE | INFINEON |
获取价格 |
500V CoolMOS⢠CE Power MOSFET | |
IPA50R950CE | INFINEON |
获取价格 |
500V CoolMOS⢠CE Power MOSFET | |
IPA50R950CEXKSA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S | |
IPA600N25NM3S | INFINEON |
获取价格 |
The OptiMOS? 3 MOSFET 250V in TO-220 FullPAK | |
IPA60R060C7 | INFINEON |
获取价格 |
600V CoolMOS™ C7 超级结(SJ)MOSFET 系列比 CoolMOS™ C | |
IPA60R060P7 | INFINEON |
获取价格 |
600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS | |
IPA60R060P7XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S | |
IPA60R080P7 | INFINEON |
获取价格 |
600V CoolMOS? P7?超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS | |
IPA60R099C6 | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor | |
IPA60R099C6XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 37.9A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |