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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPA1764/460 | ETC |
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Preamp， Non-Audio |
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| IPA1764/460B | ETC |
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Preamp， Non-Audio |
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| IPA1764/560 | ETC |
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Preamp， Non-Audio |
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| IPA1764460B | ADI |
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IC SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, DIP18, 19.70 X 24.80 MM, 4.50 MM HEIGHT, HYBRID, METAL CASE, |
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| IPA1764560B | ADI |
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IC SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, DIP18, 19.70 X 24.80 MM, 4.50 MM HEIGHT, HYBRID, METAL CASE, |
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| IPA180N10N3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor |
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| IPA180N10N3GXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPA2008DSL2-RSVFA | AMPHENOL |
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RF/Microwave Amplifier, |
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| IPA2008DSL2-VFA | AMPHENOL |
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RF/Microwave Amplifier, |
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| IPA320N20NM3S | INFINEON |
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This OptiMOS™ 3 200V (IPA320N020NM3S) MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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