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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.69 | 雪崩能效等级（Eas）： | 740 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 37 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 37 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0105 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 148 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPA105N15N3GXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 150V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPA1226 | RFE |
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THRU-HOLE INDUCTORS IPA Series & IPR Series |
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| IPA126N10N3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor |
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| IPA126N10N3GXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.0126ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPA126N10NM3S | INFINEON |
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Infineon’s OptiMOS? 3 power MOSFET 100V is de |
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| IPA-15805-10 | ETC |
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Preamp， Non-Audio |
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| IPA-15805-11 | ETC |
获取价格 |
Preamp， Non-Audio |
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| IPA-15805-12 | ETC |
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Preamp， Non-Audio |
|
| IPA-15805-30 | ETC |
获取价格 |
Preamp， Non-Audio |
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| IPA1764/460 | ETC |
获取价格 |
Preamp， Non-Audio |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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