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IPA060N06NXKSA1

更新时间： 2024-11-06 14:51:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	1618K
描述
Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220FP, 3 PIN

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IPA060N06NXKSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	18 weeks	风险等级：	5.72
雪崩能效等级（Eas）：	60 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	45 A	最大漏源导通电阻：	0.006 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	180 A	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPA060N06NXKSA1 数据手册

IPA060N06N

MOSFET

OptiMOS^TMꢀPower-Transistor,ꢀ60ꢀV

TO-220-FP

Features

•ꢀOptimizedꢀforꢀhighꢀperformanceꢀSMPS,ꢀe.g.ꢀsync.ꢀrec.

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

•ꢀSuperiorꢀthermalꢀresistance

•ꢀN-channel

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC¹⁾ꢀꢀforꢀtargetꢀapplications

•ꢀPb-freeꢀleadꢀꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Drain

Pin 2

Parameter

Value

Unit

V_DS

Gate

Pin 1

R_DS(on),max

I_D

6.0

mΩ

Source

Pin 3

Q_OSS

Q_G(0V..10V)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPA060N06N

PG-TO220-FP

060N06N

¹⁾J-STD20 and JESD22

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.2,ꢀꢀ2016-08-10

12 3 4 5 6 7...10

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