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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.8 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 110 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 80 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 40 A | 最大漏极电流 (ID)： | 40 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.01 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 160 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPA100N08N3GXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 80V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IPA1020 | RFE |
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THRU-HOLE INDUCTORS IPA Series & IPR Series |
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| IPA105N15N3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| IPA105N15N3GXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 150V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPA1226 | RFE |
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THRU-HOLE INDUCTORS IPA Series & IPR Series |
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| IPA126N10N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOSTM3 Power-Transistor |
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| IPA126N10N3GXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.0126ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPA126N10NM3S | INFINEON |
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Infineon’s OptiMOS? 3 power MOSFET 100V is de |
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| IPA-15805-10 | ETC |
获取价格 |
Preamp， Non-Audio |
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| IPA-15805-11 | ETC |
获取价格 |
Preamp， Non-Audio |
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