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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 18 weeks | 风险等级： | 1.66 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 170 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 45 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0086 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 180 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPA093N06N3 | INFINEON |
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OptiMOS3 Power Transistor |
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| IPA093N06N3G | INFINEON |
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Material Content Data Sheet |
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| IPA093N06N3G_15 | INFINEON |
获取价格 |
Material Content Data Sheet |
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| IPA093N06N3GXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 60V, 0.0093ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPA100N08N3G | INFINEON |
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OptiMOS(TM)3 Power-Transistor |
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| IPA100N08N3GXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 80V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IPA1020 | RFE |
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THRU-HOLE INDUCTORS IPA Series & IPR Series |
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| IPA105N15N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS3 Power-Transistor |
|
| IPA105N15N3GXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 150V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPA1226 | RFE |
获取价格 |
THRU-HOLE INDUCTORS IPA Series & IPR Series |
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