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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPA086N10N3G
IPA086N10N3G PDF预览

IPA086N10N3G

更新时间： 2024-11-18 11:08:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 234K
描述
OptiMOSTM3 Power-Transistor

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IPA086N10N3G 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.69
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：170 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：45 A
最大漏极电流 (ID)：45 A最大漏源导通电阻：0.0086 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：37.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPA086N10N3G 数据手册

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IPA086N10N3 G  
OptiMOSTM3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
100  
8.6  
45  
V
• N-channel, normal level  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• 175 °C operating temperature  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
Type  
IPA086N10N3 G  
Package  
Marking  
PG-TO220-FP  
086N10N  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T C=25 °C2)  
I D  
Continuous drain current  
45  
32  
A
T C=100 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
180  
I D=45 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
170  
mJ  
V
V GS  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
37.5  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
1)J-STD20 and JESD22  
2) See figure 3  
Rev. 2.2  
page 1  
2009-07-09  
1234567...9

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与IPA086N10N3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPA086N10N3GXKSA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.0086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPA093N06N3 INFINEON

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 		OptiMOS3 Power Transistor
IPA093N06N3G INFINEON

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 		Material Content Data Sheet
IPA093N06N3G_15 INFINEON

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 		Material Content Data Sheet
IPA093N06N3GXKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 60V, 0.0093ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPA100N08N3G INFINEON

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 		OptiMOS(TM)3 Power-Transistor
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