5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPA086N10N3G
IPA086N10N3G PDF预览

IPA086N10N3G

更新时间： 2024-11-06 11:08:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 234K
描述
OptiMOSTM3 Power-Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

IPA086N10N3G 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.69
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：170 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：45 A
最大漏极电流 (ID)：45 A最大漏源导通电阻：0.0086 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：37.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPA086N10N3G 数据手册

 浏览型号IPA086N10N3G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPA086N10N3G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPA086N10N3G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPA086N10N3G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPA086N10N3G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPA086N10N3G的Datasheet PDF文件第7页 
IPA086N10N3 G  
OptiMOSTM3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
100  
8.6  
45  
V
• N-channel, normal level  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• 175 °C operating temperature  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
Type  
IPA086N10N3 G  
Package  
Marking  
PG-TO220-FP  
086N10N  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T C=25 °C2)  
I D  
Continuous drain current  
45  
32  
A
T C=100 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
180  
I D=45 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
170  
mJ  
V
V GS  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
37.5  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
1)J-STD20 and JESD22  
2) See figure 3  
Rev. 2.2  
page 1  
2009-07-09  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与IPA086N10N3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPA086N10N3GXKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.0086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPA093N06N3 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS3 Power Transistor
IPA093N06N3G INFINEON

获取价格

 		Material Content Data Sheet
IPA093N06N3G_15 INFINEON

获取价格

 		Material Content Data Sheet
IPA093N06N3GXKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 60V, 0.0093ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPA100N08N3G INFINEON

获取价格

 		OptiMOS(TM)3 Power-Transistor
IPA100N08N3GXKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 80V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IPA1020 RFE

获取价格

 		THRU-HOLE INDUCTORS IPA Series & IPR Series
IPA105N15N3G INFINEON

获取价格

 		OptiMOS3 Power-Transistor
IPA105N15N3GXKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 150V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

与IPA086N10N3G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证