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IDT71V256SA15PZI

更新时间： 2024-09-15 22:26:03

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	72K
描述
LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT)

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IDT71V256SA15PZI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	0.300 INCH, TSOP1-28
针数：	28	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	15 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	JESD-609代码：	e0
长度：	11.8 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	CACHE SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP28,.53,22	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.002 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.085 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.55 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

IDT71V256SA15PZI 数据手册

IDT71V256SA

LOW POWER

3.3V CMOS FAST SRAM

256K (32K x 8-BIT)

Integrated Device Technology, Inc.

FEATURES

• Ideal for high-performance processor secondary cache

DESCRIPTION

TheIDT71V256SAisa 262,144-bithigh-speedstaticRAM

• Commercial (0° to 70°C) and Industrial (-40° to 85°C) organized as 32K x 8. It is fabricated using IDT’s high-

temperature options

performance, high-reliability CMOS technology.

• Fast access times:

— Commercial: 10/12/15/20ns

— Industrial: 15ns

• Low standby current (maximum):

— 2mA full standby

• Small packages for space-efficient layouts:

— 28-pin 300 mil SOJ

The IDT71V256SA has outstanding low power character-

istics while at the same time maintaining very high perfor-

mance. Address access times of as fast as10 ns are ideal for

3.3V secondary cache in 3.3V desktop designs.

When power management logic puts the IDT71V256SA in

standby mode, its very low power characteristics contribute to

extended battery life. By taking CS HIGH, the SRAM will

automatically go to a low power standby mode and will remain

in standby as long as CS remains HIGH. Furthermore, under

— 28-pin 300 mil plastic DIP (Commercial only)

— 28-pin TSOP Type I

• Produced with advanced high-performance CMOS full standby mode (CS at CMOS level, f=0), power consump-

technology

• Inputs and outputs are LVTTL-compatible

• Single 3.3V(±0.3V) power supply

tion is guaranteed to always be less than 6.6mW and typically

will be much smaller.

The IDT71V256SA is packaged in 28-pin 300 mil SOJ, 28-

pin 300 mil plastic DIP, and 28-pin 300 mil TSOP Type I

packaging.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

VCC

GND

262,144 BIT

MEMORY ARRAY

ADDRESS

DECODER

A14

I/O0

I/O CONTROL

INPUT

DATA

CIRCUIT

I/O7

CONTROL

CIRCUIT

3101 drw 01

The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.

INDUSTRIAL AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES

MAY 1997

1997 Integrated Device Technology, Inc.

DSC-3101/04

12 3 4 5 6

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与IDT71V256SA15PZI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71V256SA15PZI8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28
IDT71V256SA15TP	IDT	获取价格	LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT)
IDT71V256SA15Y	IDT	获取价格	LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT)
IDT71V256SA15Y8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28
IDT71V256SA15YG	IDT	获取价格	Cache SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28
IDT71V256SA15YG8	IDT	获取价格	Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit)
IDT71V256SA15YGI8	IDT	获取价格	Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit)
IDT71V256SA15YI	IDT	获取价格	LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT)
IDT71V256SA15YI8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28
IDT71V256SA20PZ	IDT	获取价格	LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT)

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