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IDT71V256SB12Y

更新时间： 2024-02-23 03:38:14

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艾迪悌 - IDT		静态存储器输入元件
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6页	70K
描述
3.3V CMOS FAST SRAM WITH 2.5V COMPATIBLE INPUTS 256K (32K x 8-BIT)

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IDT71V256SB12Y 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ, SOJ28,.34	针数：	28
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.8
最长访问时间：	12 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J28	JESD-609代码：	e0
长度：	17.9324 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	CACHE TAG SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ28,.34	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.556 mm
最大待机电流：	0.002 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	7.5184 mm
Base Number Matches：	1

IDT71V256SB12Y 数据手册

IDT71V256SB

3.3V CMOS FAST SRAM

WITH 2.5V COMPATIBLE INPUTS

256K (32K x 8-BIT)

Integrated Device Technology, Inc.

FEATURES

• Ideal for high-performance processor secondary cache

• Fast access times:

— 12/15/20ns

• Inputs are 2.5V and LVTTL compatible: VIH = 1.8V

• Outputs are LVTTL compatible

• Low standby current (maximum):

— 2mA full standby

• Small packages for space-efficient layouts:

— 28-pin 300 mil SOJ

DESCRIPTION

TheIDT71V256SBisa 262,144-bithigh-speedstaticRAM

organized as 32K x 8. The improved VIH (1.8V) makes the

inputs compatible with 2.5V logic levels. The IDT71V256SB

is otherwise identical to the IDT71V256SA.

The IDT71V256SB has outstanding low power character-

istics while at the same time maintaining very high perfor-

mance. Address access times of as fast as12 ns are ideal for

tag SRAM in secondary cache designs.

When power management logic puts the IDT71V256SB in

standby mode, its very low power characteristics contribute to

— 28-pin TSOP Type I

• Produced with advanced high-performance CMOS extended battery life. By taking CS HIGH, the SRAM will

technology

• Single 3.3V(±0.3V) power supply

automatically go to a low power standby mode and will remain

in standby as long as CS remains HIGH. Furthermore, under

full standby mode (CS at CMOS level, f=0), power consump-

tion is guaranteed to always be less than 6.6mW and typically

will be much smaller.

The IDT71V256SB is packaged in 28-pin 300 mil SOJ and

28-pin300 mil TSOP Type I packaging.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

GND

262,144 BIT

MEMORY ARRAY

ADDRESS

DECODER

I/O

I/O CONTROL

INPUT

DATA

CIRCUIT

I/O

CONTROL

CIRCUIT

3770 drw 01

The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.

COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES

JANUARY 1997

1997 Integrated Device Technology, Inc.

3770/1

7.??

12 3 4 5 6

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