是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP | 包装说明: | TSOP1-28 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.74 | 最长访问时间: | 15 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 11.8 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | CACHE SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装等效代码: | TSSOP28,.53,22 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.0005 A | 最小待机电流: | 3 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.08 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.55 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT71V256SL15Y | ETC |
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x8 SRAM |
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IDT71V256SL15Y8 | IDT |
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Cache SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 |
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IDT71V25761 | IDT |
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128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Si |
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IDT71V2576166BG | IDT |
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Standard SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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IDT71V2576166PF | IDT |
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Standard SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 |
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IDT71V2576183BG | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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IDT71V2576183PF | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 |
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IDT71V25761S166BG | IDT |
获取价格 |
128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Si |
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IDT71V25761S166BGGI | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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IDT71V25761S166BGI | IDT |
获取价格 |
128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Si |
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