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IDT71V25761S183BQGI

更新时间： 2024-09-28 15:34:43

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	618K
描述
Cache SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165

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IDT71V25761S183BQGI 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TBGA,	针数：	165
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.76
最长访问时间：	3.3 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：	R-PBGA-B165	JESD-609代码：	e0
长度：	15 mm	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	CACHE SRAM	内存宽度：	36
功能数量：	1	端子数量：	165
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX36
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	13 mm
Base Number Matches：	1

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128K X 36, 256K X 18

IDT71V25761S

IDT71V25781S

IDT71V25761SA

IDT71V25781SA

3.3VSynchronousSRAMs

2.5V I/O, Pipelined Outputs,

Burst Counter, Single Cycle Deselect

Features

Description

◆

128K x 36, 256K x 18 memory configurations

TheIDT71V25761/781arehigh-speedSRAMs organizedas 128K

x 36/256K x 18. The IDT71V25761/781 SRAMs contain write, data,

addressandcontrolregisters. InternallogicallowstheSRAMtogenerate

aself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendof

thewritecycle.

◆

Supports high system speed:

Commercial:

– 200MHz 3.1ns clock access time

CommercialandIndustrial:

– 183MHz 3.3ns clock access time

– 166MHz 3.5ns clock access time

LBO input selects interleaved or linear burst mode

Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe

systemdesigner,astheIDT71V25761/718canprovidefourcyclesofdata

forasingleaddress presentedtotheSRAM. Aninternalburstaddress

◆

Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),bytewrite counteracceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingthe

enable (BWE), and byte writes (BWx)

3.3V core power supply

Power down controlled by ZZ input

2.5V I/O

Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1

Compliant)

Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad

accesssequence.Thefirstcycleofoutputdatawillbepipelinedforone

cycle before it is available on the next rising clock edge. If burst mode

operationisselected(ADV=LOW),thesubsequentthreecyclesofoutput

datawillbeavailabletotheuseronthenextthreerisingclockedges. The

orderofthesethreeaddressesaredefinedbytheinternalburstcounter

andthe LBO inputpin.

◆

TheIDT71V25761/781SRAMsutilizeIDT’slatesthigh-performance

flatpack(TQFP),119ballgridarray(BGA)and165finepitchball CMOSprocessandarepackagedinaJEDECstandard14mmx20mm

grid array

100-pinthinplasticquadflatpack(TQFP)aswellasa119 ballgridarray

(BGA) and 165 fine pitch ball grid array (fBGA).

PinDescriptionSummary

A0-A17

Address Inputs

Input

Output

Input

I/O

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

Chip Enable

, CS

Chip Selects

Output Enable

Global Write Enable

Byte Write Enable

Individual Byte Write Selects

Clock

BWE

BW , BW

(1)

, BW

CLK

Burst Address Advance

Address Status (Cache Controller)

Address Status (Processor)

Linear / Interleaved Burst Order

Test Mode Select

Test Data Input

Synchronous

ADV

ADSC

ADSP

LBO

TMS

TDI

Synchronous

N/A

TCK

TDO

TRST

Test Clock

Test Data Output

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

JTAG Reset (Optional)

Sleep Mode

I/O

-I/O31, I/OP1-I/OP4

DD, VDDQ

Data Input / Output

Core Power, I/O Power

Ground

Supply

N/A

5297 tbl 01

NOTE:

1. BW3 and BW4 are not applicable for the IDT71V25781.

JUNE 2003

DSC-5297/03

12 3 4 5 6 7...22

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与IDT71V25761S183BQGI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71V25761S183BQI	IDT	获取价格	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Si
IDT71V25761S183PF	IDT	获取价格	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Si
IDT71V25761S183PF8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V25761S183PF9	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V25761S183PFG	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V25761S183PFI	IDT	获取价格	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Si
IDT71V25761S183PFI8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V25761S183PFI9	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V25761S200BG	IDT	获取价格	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Si
IDT71V25761S200BG8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119

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