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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOJ |
| 包装说明： | SOJ, | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.74 |
| 最长访问时间： | 20 ns | JESD-30 代码： | R-PDSO-J28 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 17.9324 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | CACHE SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 32KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.556 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 7.5184 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT71V256SA20YI8 | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 |
|
| IDT71V256SA25Y | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| IDT71V256SA25Y8 | IDT |
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Cache SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 |
|
| IDT71V256SB | IDT |
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3.3V CMOS FAST SRAM WITH 2.5V COMPATIBLE INPUTS 256K (32K x 8-BIT) |
|
| IDT71V256SB12PZ | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS FAST SRAM WITH 2.5V COMPATIBLE INPUTS 256K (32K x 8-BIT) |
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| IDT71V256SB12Y | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS FAST SRAM WITH 2.5V COMPATIBLE INPUTS 256K (32K x 8-BIT) |
|
| IDT71V256SB15PZ | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS FAST SRAM WITH 2.5V COMPATIBLE INPUTS 256K (32K x 8-BIT) |
|
| IDT71V256SB15Y | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS FAST SRAM WITH 2.5V COMPATIBLE INPUTS 256K (32K x 8-BIT) |
|
| IDT71V256SB20PZ | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS FAST SRAM WITH 2.5V COMPATIBLE INPUTS 256K (32K x 8-BIT) |
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| IDT71V256SB20Y | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS FAST SRAM WITH 2.5V COMPATIBLE INPUTS 256K (32K x 8-BIT) |
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