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IDT71V256SA25Y

更新时间: 2024-01-08 22:55:45
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 184K
描述
x8 SRAM

IDT71V256SA25Y 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:0.300 INCH, SOJ-28
针数:28Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.76Is Samacsys:N
最长访问时间:25 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J28JESD-609代码:e0
长度:17.9324 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:3功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ28,.34封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.556 mm最大待机电流:0.0005 A
最小待机电流:3 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.1 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:7.5184 mm
Base Number Matches:1

IDT71V256SA25Y 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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