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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOJ |
| 包装说明： | SOJ, SOJ28,.34 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.35 |
| 最长访问时间： | 15 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J28 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 17.9324 mm | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 32KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装等效代码： | SOJ28,.34 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3.556 mm |
| 最大待机电流： | 0.002 A | 最小待机电流： | 3 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.085 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 7.5184 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT71V256SA15YI | IDT |
获取价格 |
LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) |
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| IDT71V256SA15YI8 | IDT |
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Cache SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 |
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| IDT71V256SA20PZ | IDT |
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LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) |
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| IDT71V256SA20PZ8 | IDT |
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Cache SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, TSOP1-28 |
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| IDT71V256SA20PZG8 | IDT |
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Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) |
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| IDT71V256SA20PZGI8 | IDT |
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Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) |
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| IDT71V256SA20TP | IDT |
获取价格 |
LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) |
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| IDT71V256SA20Y | IDT |
获取价格 |
LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) |
|
| IDT71V256SA20YG | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 |
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| IDT71V256SA20YG8 | IDT |
获取价格 |
Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) |
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