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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TSOP |
| 包装说明： | TSOP1, | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.47 |
| 最长访问时间： | 20 ns | JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 11.8 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | CACHE SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.55 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT71V256SA20PZGI8 | IDT |
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Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) |
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| IDT71V256SA20TP | IDT |
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LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) |
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| IDT71V256SA20Y | IDT |
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LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) |
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| IDT71V256SA20YG | IDT |
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Cache SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 |
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| IDT71V256SA20YG8 | IDT |
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Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) |
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| IDT71V256SA20YGI | IDT |
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Cache SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 |
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| IDT71V256SA20YGI8 | IDT |
获取价格 |
Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) |
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| IDT71V256SA20YI | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 |
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| IDT71V256SA20YI8 | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 |
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| IDT71V256SA25Y | ETC |
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x8 SRAM |
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