是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.45 | 最长访问时间: | 15 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 34.67 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | CACHE SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.57 mm | 最大待机电流: | 0.002 A |
最小待机电流: | 3 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.085 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT71V256SA15Y | IDT |
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LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) | |
IDT71V256SA15Y8 | IDT |
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Cache SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 | |
IDT71V256SA15YG | IDT |
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Cache SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 | |
IDT71V256SA15YG8 | IDT |
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Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) | |
IDT71V256SA15YGI8 | IDT |
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Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) | |
IDT71V256SA15YI | IDT |
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LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) | |
IDT71V256SA15YI8 | IDT |
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Cache SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 | |
IDT71V256SA20PZ | IDT |
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LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) | |
IDT71V256SA20PZ8 | IDT |
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Cache SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, TSOP1-28 | |
IDT71V256SA20PZG8 | IDT |
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Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) |