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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 20 weeks |
| 风险等级： | 1.64 | 雪崩能效等级（Eas）： | 210 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 150 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0035 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 600 A | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IAUT165N08S5N029 | INFINEON |
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车规级MOSFET |
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| IAUT200N08S5N023 | INFINEON |
获取价格 |
车规级MOSFET |
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| IAUT240N08S5N019 | INFINEON |
获取价格 |
车规级MOSFET |
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| IAUT240N08S5N019ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 80V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IAUT260N10S5N019 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IAUT260N10S5N019ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IAUT300N08S5N011 | INFINEON |
获取价格 |
Next to others it is used in 48V Main Inverter / Starter Generators, DCDC Converter as wel |
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| IAUT300N08S5N012 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 300A I(D), 80V, 0.0012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IAUT300N08S5N012ATMA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IAUT300N10S5N015 | INFINEON |
获取价格 |
车规级MOSFET |
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