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IAUT150N10S5N035ATMA1

更新时间： 2024-01-14 01:54:32

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	223K
描述
Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 100V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HSOF-8-1, 8 PIN

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IAUT150N10S5N035ATMA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	20 weeks
风险等级：	1.64	雪崩能效等级（Eas）：	210 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	150 A
最大漏源导通电阻：	0.0035 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-F2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	600 A	参考标准：	AEC-Q101
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IAUT150N10S5N035ATMA1 数据手册

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IAUT150N10S5N035

OptiMOS™-5 Power-Transistor

Product Summary

V_DS

R_DS(on)

I_D

100

3.5

m

150

Features

P/G-HSOF-8-1

• N-channel - Enhancement mode

Tab

• AEC qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green product (RoHS compliant)

• Ultra low Rds(on)

Tab

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Marking

IAUT150N10S5N035 P/G-HSOF-8-1

5N10035

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

I _D

T _C=25°C, V_GS=10V

T _C=100 °C,

Continuous drain current

150

_GS=10 V¹⁾

Pulsed drain current¹⁾

I _D,pulse

E_AS

I _AS

T _C=25 °C

600

210

Avalanche energy, single pulse¹⁾

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

I _D=75 A

150

V_GS

P_tot

±20

T _C=25 °C

Power dissipation

166

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.0

page 1

2017-10-02

12 3 4 5 6 7...9

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