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IAUT240N08S5N019ATMA1

更新时间： 2024-02-17 16:26:28

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	245K
描述
Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 80V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HSOF-8-1, 8 PIN

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IAUT240N08S5N019ATMA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	1.67	雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	80 V	最大漏极电流 (ID)：	240 A
最大漏源导通电阻：	0.0019 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-F2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	960 A	参考标准：	AEC-Q101
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IAUT240N08S5N019ATMA1 数据手册

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IAUT240N08S5N019

OptiMOS™-5 Power-Transistor

Product Summary

V_DS

R_DS(on)

I_D

1.9

240

m

Features

P/G-HSOF-8-1

• N-channel - Enhancement mode

Tab

• AEC qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green product (RoHS compliant)

• Ultra low Rds(on)

Tab

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Marking

P/G-HSOF-8-1

5N08019

IAUT240N08S5N019

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

T _C=25°C, V_GS=10V¹⁾

I _D

Continuous drain current

240

T _C=100 °C,

173

_GS=10 V²⁾

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E_AS

I _AS

T _C=25 °C

960

400

240

±20

230

Avalanche energy, single pulse²⁾

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

I _D=120 A

V_GS

P_tot

T _C=25 °C

Power dissipation

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.0

page 1

2017-07-20

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