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IAUT150N10S5N035ATMA1

更新时间： 2024-01-27 03:02:08

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	223K
描述
Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 100V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HSOF-8-1, 8 PIN

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IAUT150N10S5N035ATMA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	20 weeks
风险等级：	1.64	雪崩能效等级（Eas）：	210 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	150 A
最大漏源导通电阻：	0.0035 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-F2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	600 A	参考标准：	AEC-Q101
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

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IAUT150N10S5N035

Values

typ.

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

min.

max.

Thermal characteristics¹⁾

R _thJC

Thermal resistance, junction - case

0.9

K/W

Electrical characteristics, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Static characteristics

V_GS=0 V,

I _D=1 mA

V_(BR)DSS

Drain-source breakdown voltage

Gate threshold voltage

100

2.2

3.8

V_GS(th)V_DS=V_GS, I _D=110 µA

3.0

0.1

V_DS=100 V, V_GS=0 V,

T _j=25 °C

I _DSS

Zero gate voltage drain current

µA

_DS=50 V, V_GS=0 V,

T _j=85 °C²⁾

I _GSS

V_GS=20 V, V_DS=0 V

Gate-source leakage current

100 nA

R_DS(on)V_GS=6 V, I _D=40 A

Drain-source on-state resistance

3.7

3.0

5.0

3.5

mΩ

_GS=10 V, I _D=75 A

Rev. 1.0

page 2

2017-10-02

123 4 5 6 7...9

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