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IAUT300N08S5N012ATMA2

更新时间： 2024-02-04 04:07:55

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Power Field-Effect Transistor,

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IAUT300N08S5N012ATMA2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	20 weeks	风险等级：	1.69
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IAUT300N08S5N012ATMA2 数据手册

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IAUT300N08S5N012

OptiMOS™-5 Power-Transistor

Product Summary

V_DS

R_DS(on)

I_D

1.2

300

m

Features

H-PSOF-8-1

Tab

• N-channel - Enhancement mode

• AEC qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green product (RoHS compliant)

• Ultra low Rds(on)

Tab

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Marking

P/G-HSOF-8-1

5N08012

IAUT300N08S5N012

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

T _C=25°C, V_GS=10V¹⁾

I _D

Continuous drain current

300

T _C=100 °C,

300

_GS=10 V²⁾

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E_AS

I _AS

T _C=25 °C

1200

817

Avalanche energy, single pulse²⁾

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

I _D=150 A

300

V_GS

P_tot

±20

T _C=25 °C

Power dissipation

375

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.0

page 1

2016-11-29

12 3 4 5 6 7...9

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