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IAUT300N08S5N012ATMA2

更新时间: 2024-01-25 20:21:35
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页数 文件大小 规格书
9页 223K
描述
Power Field-Effect Transistor,

IAUT300N08S5N012ATMA2 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:compliant
Factory Lead Time:20 weeks风险等级:1.69
湿度敏感等级:1峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

IAUT300N08S5N012ATMA2 数据手册

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IAUT300N08S5N012  
5 Typ. output characteristics  
I D = f(VDS); T j = 25 °C  
parameter: VGS  
6 Typ. drain-source on-state resistance  
R DS(on) = (I D); T j = 25 °C  
parameter: VGS  
4
1200  
4.5 V  
5 V  
10 V  
6.5 V  
3.5  
3
1000  
800  
600  
400  
200  
0
6 V  
2.5  
2
5.5 V  
5.5 V  
1.5  
1
6 V  
6.5 V  
5 V  
4.5 V  
10 V  
0.5  
0
100  
200  
300  
0
1
2
3
4
5
6
7
ID [A]  
VDS [V]  
7 Typ. transfer characteristics  
I D = f(VGS); VDS = 6V  
parameter: T j  
8 Typ. drain-source on-state resistance  
R DS(on) = f(T j); I D = 100 A; VGS = 10 V  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
-55 °C  
175 °C  
25 °C  
2.1  
1.9  
1.7  
1.5  
1.3  
1.1  
0.9  
0.7  
0.5  
-60  
-20  
20  
60  
100  
140  
180  
2
4
6
8
Tj [°C]  
VGS [V]  
Rev. 1.0  
page 5  
2016-11-29  

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