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IAUT300N08S5N012ATMA2

更新时间: 2024-01-05 03:36:48
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页数 文件大小 规格书
9页 223K
描述
Power Field-Effect Transistor,

IAUT300N08S5N012ATMA2 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:compliant
Factory Lead Time:20 weeks风险等级:1.69
湿度敏感等级:1峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

IAUT300N08S5N012ATMA2 数据手册

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IAUT300N08S5N012  
1 Power dissipation  
2 Drain current  
P
tot = f(T C); VGS 6 V  
I D = f(T C); VGS 6 V  
400  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
300  
200  
100  
0
0
0
50  
100  
150  
200  
0
50  
100  
150  
200  
TC [°C]  
TC [°C]  
3 Safe operating area  
4 Max. transient thermal impedance  
Z thJC = f(t p)  
I D = f(VDS); T C = 25 °C; D = 0  
parameter: t p  
parameter: D =t p/T  
100  
10000  
1000  
100  
10  
1 µs  
0.5  
10 µs  
10-1  
100 µs  
0.1  
1 ms  
0.05  
10-2  
0.01  
single pulse  
10-3  
1
0.1  
1
10  
100  
10-6  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
10-1  
100  
VDS [V]  
tp [s]  
Rev. 1.0  
page 4  
2016-11-29  

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