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IAUT260N10S5N019ATMA1

更新时间： 2024-02-04 15:50:17

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描述
Power Field-Effect Transistor,

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IAUT260N10S5N019ATMA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	9 weeks 6 days
风险等级：	1.65	湿度敏感等级：	1
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IAUT260N10S5N019ATMA1 数据手册

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IAUT260N10S5N019

OptiMOS™-5 Power-Transistor

Product Summary

V_DS

R_DS(on)

I_D

100

1.9

m

260

Features

P/G-HSOF-8-1

• N-channel - Enhancement mode

Tab

• AEC qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green product (RoHS compliant)

• Ultra low Rds(on)

Tab

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Marking

IAUT260N10S5N019 P/G-HSOF-8-1

5N10019

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

I _D

T _C=25°C, V_GS=10V

T _C=100 °C,

Continuous drain current

260

197

_GS=10 V¹⁾

Pulsed drain current¹⁾

I _D,pulse

E_AS

I _AS

T _C=25 °C

1040

400

Avalanche energy, single pulse¹⁾

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

I _D=130 A

260

V_GS

P_tot

±20

T _C=25 °C

Power dissipation

300

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.0

page 1

2017-10-02

12 3 4 5 6 7...9

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