生命周期: | Obsolete | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
最大集电极电流 (IC): | 1 A | 配置: | Single |
最小直流电流增益 (hFE): | 200 | 最高工作温度: | 150 °C |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 0.225 W |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HMBT5086 | HSMC |
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PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | |
HMBT5087 | HSMC |
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PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | |
HMBT5088 | HSMC |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | |
HMBT5089 | HSMC |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | |
HMBT5401 | HSMC |
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PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | |
HMBT5551 | HSMC |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR(for general purpose applications requiring high Breakdown | |
HM-BT5601 | HOPERF |
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HM-BT5601 模块采用了一款高集成度的低功耗蓝牙 5.1(兼容5.2)SoC 芯片, | |
HMBT6427 | HSMC |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | |
HMBT6427? | ETC |
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NPN40V500mA225mW|Bipolar Transistors | |
HMBT6429 | HSMC |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |