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HMBTA56

更新时间： 2024-02-27 05:25:47

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HSMC		晶体晶体管局域网
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3页	32K
描述
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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HMBTA56 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	50	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

HMBTA56 数据手册

Spec. No. : HE6856

Issued Date : 1994.07.29

Revised Date : 2002.10.25

Page No. : 1/3

HI-SINCERITY

MICROELECTRONICS CORP.

HMBTA56

PNP SILICON TRANSISTOR

Description

Amplifier Transistor

SOT-23

Absolute Maximum Ratings

• Maximum Temperatures

Storage Temperature ........................................................................................... -55 ~ +150 °C

Junction Temperature.................................................................................... +150 °C Maximum

• Maximum Power Dissipation

Total Power Dissipation (Ta=25°C) ............................................................................... 225 mW

• Maximum Voltages and Currents (Ta=25°C)

VCBO Collector to Base Voltage........................................................................................ -80 V

VCEO Collector to Emitter Voltage..................................................................................... -80 V

VEBO Emitter to Base Voltage............................................................................................. -4 V

IC Collector Current ...................................................................................................... -500 mA

Characteristics (Ta=25°C)

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

IC=-100uA

IC=-1mA

IE=-100uA

VCB=-80V

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

-80

-4

-100

-0.25

-1.2

ICEO

VCE=-60V

*VCE(sat)

VBE(on)

*hFE1

*hFE2

IC=-100mA, IB=-10mA

VCE=-1V, IC=-100mA

VCE=-1V, IC=-10mA

VCE=-1V, IC=-100mA

VCE=-2V, IC=-10mA, f=1MHz

100

MHz

*Pulse Test: Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%

HMBTA56

HSMC Product Specification

12 3

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