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HMBT6517 PDF预览

HMBT6517

更新时间： 2024-01-13 19:59:30
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页数 文件大小 规格书
3页 34K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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HMBT6517 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：0.5 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：15最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
标称过渡频率 (fT)：40 MHz

HMBT6517 数据手册

 浏览型号HMBT6517的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HMBT6517的Datasheet PDF文件第3页 
Spec. No. : HE6836  
Issued Date : 1994.07.20  
Revised Date : 2002.10.25  
Page No. : 1/3  
HI-SINCERITY  
MICROELECTRONICS CORP.  
HMBT6517  
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR  
Description  
The HMBT6517 is designed for general purpose applications requiring high  
breakdown voltages.  
Features  
SOT-23  
• High Collector-Emitter Breakdown Voltage  
• Low Collector-Emitter Saturation Voltage  
• The HMBT6517 is complementary to HMBT6520  
Absolute Maximum Ratings  
• Maximum Temperatures  
Storage Temperature........................................................................................................ -55 ~ +150 °C  
Junction Temperature................................................................................................ +150 °C Maximum  
• Maximum Power Dissipation  
Total Power Dissipation (Ta=25°C)............................................................................................ 225 mW  
• Maximum Voltages and Currents (Ta=25°C)  
VCBO Collector to Base Voltage ................................................................................................... 350 V  
VCEO Collector to Emitter Voltage ................................................................................................ 350 V  
VEBO Emitter to Base Voltage ......................................................................................................... 5 V  
IC Collector Current ................................................................................................................... 500 mA  
IB Base Current ......................................................................................................................... 250 mA  
Characteristics (Ta=25°C)  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Test Conditions  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
350  
350  
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20  
30  
30  
20  
15  
40  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
nA  
nA  
mV  
mV  
mV  
V
IC=100uA  
IC=1mA  
IE=10uA  
VCB=250V  
VEB=5V  
50  
50  
300  
350  
500  
1
IEBO  
*VCE(sat)1  
*VCE(sat)2  
*VCE(sat)3  
*VCE(sat)4  
VBE(on)  
*VBE(sat)1  
*VBE(sat)2  
*VBE(sat)3  
*hFE1  
IC=10mA, IB=1mA  
IC=20mA, IB=2mA  
IC=30mA, IB=3mA  
IC=50mA, IB=5mA  
VCE=10V, IC=100mA  
IB=1mA, IC=10mA  
IB=2mA, IC=20mA  
IB=3mA, IC=30mA  
VCE=10V, IC=1mA  
VCE=10V, IC=10mA  
VCE=10V, IC=30mA  
VCE=10V, IC=50mA  
VCE=10V, IC=100mA  
IC=10mA, VCE=20V, f=20MHz  
VCB=20V, f=1MHz  
2
V
750  
850  
900  
-
mV  
mV  
mV  
*hFE2  
*hFE3  
*hFE4  
*hFE5  
fT  
Cob  
-
200  
200  
-
200  
6
MHz  
pF  
*Pulse Test: Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%  
HMBT6517  
HSMC Product Specification  
123

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