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HMBT8550

更新时间： 2024-01-05 23:30:41

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HSMC		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	33K
描述
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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数据手册

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HMBT8550 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-59
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

HMBT8550 数据手册

Spec. No. : HE6813

Issued Date : 1997.08.11

Revised Date : 2002.10.25

Page No. : 1/3

HI-SINCERITY

MICROELECTRONICS CORP.

HMBT8550

PNP EPITAXIAL TRANSISTOR

Description

The HMBT8550 is designed for general purpose amplifier

applications.

SOT-23

Features

• High DC Current: hFE=150-400 at IC=150mA

• Complementary to HMBT8050

Absolute Maximum Ratings

• Maximum Temperatures

Storage Temperature ........................................................................................... -55 ~ +150 °C

Junction Temperature.................................................................................... +150 °C Maximum

• Maximum Power Dissipation

Total Power Dissipation (Ta=25°C) ............................................................................... 225 mW

• Maximum Voltages and Currents (Ta=25°C)

VCBO Collector to Base Voltage........................................................................................ -25 V

VCEO Collector to Emitter Voltage..................................................................................... -20 V

VEBO Emitter to Base Voltage............................................................................................. -5 V

IC Collector Current ...................................................................................................... -700 mA

Characteristics (Ta=25°C)

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

-25

-20

-5

100

150

IC=-10uA

IC=-1mA

IE=-10uA

VCB=-20V

VEB=-6V

IC=-500mA, IB=-50mA

VCE=-1V, IC=-150mA

VCE=-10V, IC=-20mA, f=100MHz

VCB=-10V, f=1MHz

-1

IEBO

-100

-500

-1

500

*VCE(sat)

VBE(on)

*hFE

Cob

MHz

*Pulse Test: Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%

Classification Of hFE

Rank

B9C

100-200

B9D

B9E

Range

150-300

250-500

HMBT8550

HSMC Product Specification

12 3

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