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HMBT6520 PDF预览

HMBT6520

更新时间： 2024-02-01 00:41:38
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HSMC 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 32K
描述
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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HMBT6520 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：0.5 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：15最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
标称过渡频率 (fT)：40 MHzBase Number Matches：1

HMBT6520 数据手册

 浏览型号HMBT6520的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HMBT6520的Datasheet PDF文件第3页 
Spec. No. : HE6806  
Issued Date : 1996.04.10  
Revised Date : 2002.11.29  
Page No. : 1/3  
HI-SINCERITY  
MICROELECTRONICS CORP.  
HMBT6520  
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR  
Description  
The HMBT6520 is designed for general purpose applications requiring high  
breakdown voltages.  
Features  
SOT-23  
• High Collector-Emitter Breakdown Voltage  
• Low Collector-Emitter Saturation Voltage  
• The HMBT6520 is complementary to HMBT6517  
Absolute Maximum Ratings  
• Maximum Temperatures  
Storage Temperature........................................................................................................ -55 ~ +150 °C  
Junction Temperature................................................................................................ +150 °C Maximum  
• Maximum Power Dissipation  
Total Power Dissipation (Ta=25°C)............................................................................................ 225 mW  
• Maximum Voltages and Currents (Ta=25°C)  
VCBO Collector to Base Voltage ................................................................................................. -350 V  
VCEO Collector to Emitter Voltage .............................................................................................. -350 V  
VEBO Emitter to Base Voltage ........................................................................................................ -5 V  
IC Collector Current ................................................................................................................. -500 mA  
IB Base Current ....................................................................................................................... -250 mA  
Characteristics (Ta=25°C)  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Test Conditions  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
-350  
-350  
-5  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20  
30  
30  
20  
15  
40  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
nA  
nA  
mV  
mV  
mV  
V
IC=-100uA  
IC=-1mA  
IE=-10uA  
VCB=-250V  
VEB=-4V  
-50  
-50  
-300  
-350  
-500  
-1  
IEBO  
*VCE(sat)1  
*VCE(sat)2  
*VCE(sat)3  
*VCE(sat)4  
VBE(on)  
*VBE(sat)1  
*VBE(sat)2  
*VBE(sat)3  
*hFE1  
IC=-10mA, IB=-1mA  
IC=-20mA, IB=-2mA  
IC=-30mA, IB=-3mA  
IC=-50mA, IB=-5mA  
VCE=-10V, IC=-100mA  
IB=-1mA, IC=-10mA  
IB=-2mA, IC=-20mA  
IB=-3mA, IC=-30mA  
VCE=-10V, IC=-1mA  
VCE=-10V, IC=-10mA  
VCE=-10V, IC=-30mA  
VCE=-10V, IC=-50mA  
VCE=-10V, IC=-100mA  
VCE=-20V ,IC=-10mA, f=20MHz  
VCB=-20V, f=1MHz  
-2  
V
-750  
-850  
-900  
-
mV  
mV  
mV  
*hFE2  
*hFE3  
*hFE4  
*HFE5  
fT  
Cob  
-
200  
200  
-
200  
6
MHz  
pF  
*Pulse Test: Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%  
HMBT6520  
HSMC Product Specification  
123

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