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Datasheet > HMBT6427?

HMBT6427? PDF预览

HMBT6427?

更新时间： 2024-01-14 03:13:45

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	34K
描述
NPN40V500mA225mW\|Bipolar Transistors

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技术参数
数据手册

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HMBT6427? 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	10	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

HMBT6427? 数据手册

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浏览型号HMBT6427?的Datasheet PDF文件第3页

Spec. No. : HE6846

Issued Date : 1995.07.21

Revised Date : 2001.06.15

Page No. : 1/3

HI-SINCERITY

MICROELECTRONICS CORP.

HMBT6427

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description

Darlington Transistor

Absolute Maximum Ratings

• Maximum Temperatures

Storage Temperature............................................................................................ -55 ~ +150 °C

Junction Temperature................................................................................... +150 °C Maximum

• Maximum Power Dissipation

Total Power Dissipation (Ta=25°C) .............................................................................. 225 mW

• Maximum Voltages and Currents (Ta=25°C)

VCBO Collector to Base Voltage ........................................................................................ 40 V

VCEO Collector to Emitter Voltage..................................................................................... 40 V

VEBO Emitter to Base Voltage ........................................................................................... 12 V

IC Collector Current ...................................................................................................... 500 mA

(Ta=25°C)

Characteristics

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

ICEO

IEBO

*VCE(sat)1

*VCE(sat)2

*VBE(sat)

VBE(on)

*hFE1

40

40

12

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

V

V

V

nA

uA

nA

V

V

V

V

K

IC=100uA

IC=10mA

IE=10uA

VCB=30V

VCB=25V

VEB=10V

IC=50mA, IB=0.5mA

IC=500mA, IB=0.5mA

IC=500mA, IB=0.5mA

VCE=5V, IC=50mA

VCE=5V, IC=10mA

VCE=5V, IC=100mA

VCE=5V, IC=500mA

VCB=10V, f=1MHz

50

1

50

1.2

1.5

2

1.75

100

200

140

7

10

20

14

-

*hFE2

*hFE3

Cob

K

K

pF

*Pulse Test : Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%

HMBT6427

HSMC Product Specification

12 3

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