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HMBTA14

更新时间： 2024-01-03 16:30:23

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HSMC		晶体晶体管局域网
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4页	41K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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技术参数
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HMBTA14 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.3 A	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	10000	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	125 MHz	Base Number Matches：	1

HMBTA14 数据手册

Spec. No. : HE6841

Issued Date : 1994.07.29

Revised Date : 2004.09.01

Page No. : 1/4

HI-SINCERITY

MICROELECTRONICS CORP.

HMBTA14

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description

Darlington Amplifier Transistor

SOT-23

Absolute Maximum Ratings

• Maximum Temperatures

Storage Temperature........................................................................................................................... -55 ~ +150 °C

Junction Temperature................................................................................................................... +150 °C Maximum

• Maximum Power Dissipation

Total Power Dissipation (T_A=25°C)............................................................................................................... 225 mW

• Maximum Voltages and Currents (T_A=25°C)

V_CBOCollector to Base Voltage........................................................................................................................... 30 V

V_CESCollector to Emitter Voltage........................................................................................................................ 30 V

V_EBOEmitter to Base Voltage.............................................................................................................................. 10 V

I_CCollector Current ....................................................................................................................................... 300 mA

Electrical Characteristics (T_A=25°C)

Symbol

BV_CBO

BV_CES

BV_EBO

I_CBO

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

I_C=100uA

I_E=10uA

V_CB=30V

V_EB=10V

100

1.5

2.0

I_EBO

*V_CE(sat)

V_BE(on)

*h_FE1

*h_FE2

f_T

I_C=100mA, I_B=0.1mA

V_CE=5V, I_C=100mA

V_CE=5V, I_C=10mA

10K

20K

125

V_CE=5V, I_C=100mA

V_CE=5V, I_C=10mA, f=100MHz

V_CB=10V, f=1MHz

MHz

Cob

*Pulse Test: Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%

HMBTA14

HSMC Product Specification

12 3 4

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