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HMBT468

更新时间： 2024-01-09 10:56:15

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HSMC		晶体晶体管局域网
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5页	44K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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HMBT468 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	200	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES

HMBT468 数据手册

Spec. No. : HN200204

Issued Date : 2001.07.01

Revised Date : 2004.09.08

Page No. : 2/5

HI-SINCERITY

MICROELECTRONICS CORP.

Characteristics Curve

Current Gain & Collector Current

Saturation Voltage & Collector Current

1000

100

1000

100

=2V

CE(sat)

@ I =10I

0.1

100

1000

10000

0.1

100

1000

10000

Collector Current (mA)

On Voltage & Collector Current

Cutoff Frequency & Ic

10000

1000

100

=2V

1000

BE(on)

@ V =2V

100

0.1

100

1000

10000

100

1000

Collector Current (mA)

Capacitance & Reverse-Biased Voltage

IR Reflow Profile

100

260

240

220

200

180

160

140

120

100

10+/-2 sec

40+/-20 sec

Cob

150+/-30

100

150

200

250

300

0.1

100

1000

Time(sec)

Reverse Biased Voltage (V)

HMBT468

HSMC Product Specification

123 4 5

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