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HGT1S12N60B3S PDF预览

HGT1S12N60B3S

更新时间： 2024-01-02 08:27:54
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 晶体晶体管电动机控制瞄准线双极性晶体管栅
页数 文件大小 规格书
7页 116K
描述
27A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs

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HGT1S12N60B3S 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.01其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：27 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
最大降落时间（tf）：175 ns门极发射器阈值电压最大值：6 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：104 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：392 ns标称接通时间 (ton)：45 ns
Base Number Matches：1

HGT1S12N60B3S 数据手册

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HGTP12N60B3, HGT1S12N60B3S  
Typical Performance Curves Unless Otherwise Specified (Continued)  
300  
16  
14  
12  
10  
8
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
o
T
= 150 C, R = 25Ω, L = 1mH, V  
= 480V  
CE  
o
J
G
V
= 360V, R = 25Ω, T = 125 C  
CE  
G
J
T
V
C
o
o
o
GE  
15V  
75 C  
75 C 10V  
110 C 15V  
110 C 10V  
100  
10  
1
I
SC  
o
f
f
P
= 0.05 / (t  
d(OFF)I  
= (P - P ) / (E  
+ t  
)
MAX1  
d(ON)I  
+ E )  
OFF  
6
MAX2  
D
C
ON2  
= CONDUCTION DISSIPATION  
t
C
SC  
(DUTY FACTOR = 50%)  
o
4
R
= 1.2 C/W, SEE NOTES  
ØJC  
2
2
3
10  
20  
30  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)  
V
, GATE TO EMITTER VOLTAGE (V)  
CE  
GE  
FIGURE 3. OPERATING FREQUENCY vs COLLECTOR TO  
EMITTER CURRENT  
FIGURE 4. SHORT CIRCUIT WITHSTAND TIME  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
70  
o
DUTY CYCLE <0.5%, V  
= 15V  
PULSE DURATION = 250µs  
T
= -55 C  
o
= -55 C  
GE  
C
T
C
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
o
T
= 150 C  
C
o
T
= 150 C  
C
o
T
= 25 C  
C
60  
o
T
= 25 C  
C
DUTY CYCLE <0.5%, V  
= 10V  
GE  
40  
PULSE DURATION = 250µs  
20  
0
0
2
4
6
8
10  
0
2
4
6
8
10  
V
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)  
V
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)  
CE  
CE  
FIGURE 5. COLLECTOR TO EMITTER ON-STATE VOLTAGE  
FIGURE 6. COLLECTOR TO EMITTER ON-STATE VOLTAGE  
3.0  
2.5  
R
= 25Ω, L = 1mH, V  
= 480V  
o
G
CE  
R
= 25Ω, L = 1mH, V  
= 480V  
CE  
G
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0
o
T
= 25 C, T = 150 C, V  
= 10V  
GE  
J
J
o
T
= 150 C; V  
= 10V OR 15V  
J
GE  
o
T
= 25 C; V  
= 10V OR 15V  
25 30  
J
GE  
o
o
T
= 25 C, T = 150 C, V  
= 15V  
J
J
GE  
5
10  
15  
20  
25  
30  
5
10  
15  
20  
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)  
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)  
CE  
CE  
FIGURE 7. TURN-ON ENERGY LOSS vs COLLECTOR TO  
EMITTER CURRENT  
FIGURE 8. TURN-OFF ENERGY LOSS vs COLLECTOR TO  
EMITTER CURRENT  
4
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HGT1S12N60B3S9A ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 12A I(C) | TO-263AB
HGT1S12N60C3 HARRIS

获取价格

 		24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
HGT1S12N60C3D RENESAS

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 		TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN+DIODE,600V V(BR)CES,24A I(C),TO-262AA
HGT1S12N60C3DRS9A RENESAS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 24A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
HGT1S12N60C3DS INTERSIL

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 		24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
HGT1S12N60C3DS FAIRCHILD

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 		24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
HGT1S12N60C3DS9A ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 12A I(C) | TO-263AB
HGT1S12N60C3DST ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 12A I(C) | TO-263AB
HGT1S12N60C3R ROCHESTER

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 		24A, 600V, N-CHANNEL IGBT, PLASTIC PACKAGE-3
HGT1S12N60C3RS RENESAS

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 		24A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB

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