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GT40Q322

更新时间： 2024-09-14 21:55:27

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东芝 - TOSHIBA		开关
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3页	86K
描述
Voltage Resonance Inverter Switching Application

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GT40Q322 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-3P	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.81	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	39 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大降落时间（tf）：	210 ns
门极-发射极最大电压：	25 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	200 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	430 ns
标称接通时间 (ton)：	260 ns	Base Number Matches：	1

GT40Q322 数据手册

GT40Q322

TOSHIBA Insulated Gate bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

Preliminary

GT40Q322

Voltage Resonance Inverter Switching Application

Unit: mm

•

Enhancement-mode

High speed : t = 0.14 µs (typ.) (I = 40A)

FRD included between emitter and collector

The 4th generation

TO-3P(N) (Toshiba package name)

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Collector-emitter voltage

Gate-emitter voltage

1200

±25

CES

GES

@ Tc = 100°C

Continuous collector

current

@ Tc = 25°C

Pulsed collector current

Diode forward current

Pulsed

JEDEC

―

JEITA

@ Tc = 100°C

Collector power

TOSHIBA

2-16C1C

dissipation

@ Tc = 25°C

200

150

−55 to 150

Weight: 4.6 g (typ.)

Junction temperature

°C

Storage temperature range

stg

Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

Max

Unit

Thermal resistance (IGBT)

Thermal resistance (diode)

0.625

1.79

°C/W

th (j-c)

Equivalent Circuit

Collector

Gate

Emitter

2003-07-07

12 3

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