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GT40Q323

更新时间： 2024-11-18 02:52:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
6页 151K
描述
Silicon N Channel IGBT Voltage Resonance Inverter Switching Application

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GT40Q323 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-3P
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.26
Is Samacsys：N其他特性：HIGH SPEED
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：39 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：210 ns门极-发射极最大电压：25 V
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：200 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：430 ns标称接通时间 (ton)：260 ns
Base Number Matches：1

GT40Q323 数据手册

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GT40Q323  
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT  
GT40Q323  
Voltage Resonance Inverter Switching Application  
Unit: mm  
•
•
•
•
•
Enhancement-mode  
High speed: t = 0.14 μs (typ.) (I = 40A)  
f
C
FRD included between emitter and collector  
4th generation  
TO-3P (N) (Toshiba package name)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Gate-emitter voltage  
V
V
1200  
±25  
20  
V
V
CES  
GES  
@ Tc = 100°C  
Continuous collector  
current  
I
A
A
A
C
@ Tc = 25°C  
39  
Pulsed collector current  
Diode forward current  
I
80  
CP  
DC  
I
10  
F
JEDEC  
―
―
Pulsed  
I
80  
FP  
JEITA  
@ Tc = 100°C  
@ Tc = 25°C  
80  
Collector power  
dissipation  
P
W
C
200  
150  
−55 to 150  
TOSHIBA  
2-16C1C  
Junction temperature  
T
°C  
°C  
j
Weight: 4.6 g (typ.)  
Storage temperature range  
T
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report  
and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal resistance (IGBT)  
Thermal resistance (diode)  
R
R
0.625  
1.79  
°C/W  
°C/W  
th (j-c)  
th (j-c)  
Equivalent Circuit  
Collector  
Gate  
Emitter  
1
2006-11-01  
123456

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