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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.23 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH SPEED |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 40 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1500 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大降落时间（tf）： | 400 ns | 门极-发射极最大电压： | 25 V |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 600 ns | 标称接通时间 (ton)： | 450 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| GT40T101 | TOSHIBA |
功能相似  |
N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITHCING APPLICATIONS) |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GT40T301_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel IGBT Parallel Resonance Inverter Switching Applications |
|
| GT40T302 | TOSHIBA |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT |
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| GT40T321 | TOSHIBA |
获取价格 |
Consumer Application Voltage Resonance Inverter Switching Application |
|
| GT40WR21 | TOSHIBA |
获取价格 |
Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT |
|
| GT410 | CDE |
获取价格 |
Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 3000V, 5% +Tol, 5% -Tol, SL, 500ppm/Cel TC, 0.0000 |
|
| GT4122 | GENNUM |
获取价格 |
GT4122 Video Multiplier |
|
| GT4122-CDF | GENNUM |
获取价格 |
GT4122 Video Multiplier |
|
| GT4122-CKF | GENNUM |
获取价格 |
GT4122 Video Multiplier |
|
| GT4123 | GENNUM |
获取价格 |
Two Channel Video Multipliers |
|
| GT4123/A | ETC |
获取价格 |
Trimless Two Input Analog Mixers |
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