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GT40T301

更新时间： 2024-09-14 22:32:55

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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6页	312K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

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GT40T301 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.23
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH SPEED
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	40 A
集电极-发射极最大电压：	1500 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：	400 ns	门极-发射极最大电压：	25 V
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	600 ns	标称接通时间 (ton)：	450 ns
Base Number Matches：	1

GT40T301 数据手册

GT40T301

TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

GT40T301

Parallel Resonance Inverter Switching Applications

Unit: mm

•

FRD included between emitter and collector

Enhancement-mode

High speed IGBT : t = 0.25 µs (typ.) (I = 40 A)

FRD : t = 0.7 µs (typ.) (di/dt = −20 A/µs)

•

Low saturation voltage: V = 3.7 V (typ.) (I = 40 A)

CE (sat) C

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Collector-emitter voltage

Gate-emitter voltage

1500

±25

CES

GES

Collector current

1 ms

ECF

Emitter-collector forward

JEDEC

JEITA

―

current

1 ms

ECPF

Collector power dissipation (Tc =

200

25°C)

TOSHIBA

2-21F2C

Junction temperature

150

°C

Weight: 9.75 g (typ.)

Storage temperature range

−55~150

stg

Equivalent Circuit

Collector

Emitter

Gate

2002-01-18

12 3 4 5 6

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GT40T301 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
GT40T101	TOSHIBA	功能相似	N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITHCING APPLICATIONS)

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