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GT40T302

更新时间： 2024-11-18 12:49:55
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
6页 173K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

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GT40T302 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.73外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：40 A集电极-发射极最大电压：1500 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：830 ns
标称接通时间 (ton)：850 nsBase Number Matches：1

GT40T302 数据手册

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GT40T302  
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT  
GT40T302  
Parallel Resonance Inverter Switching Applications  
Unit: mm  
•
•
•
FRD included between emitter and collector  
Enhancement mode  
High speed IGBT: t = 0.23 μs (typ.) (I = 40 A)  
f
C
FRD: t = 0.7 μs (typ.) (di/dt = −20 A/μs)  
rr  
•
Low saturation voltage: V = 3.7 V (typ.) (I = 40 A)  
CE (sat) C  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Gate-emitter voltage  
V
V
1500  
±25  
40  
V
V
CES  
GES  
DC  
1 ms  
DC  
I
C
Collector current  
A
I
80  
CP  
I
30  
F
JEDEC  
JEITA  
―
―
Diode forward current  
A
1 ms  
I
80  
FP  
P
200  
W
Collector power dissipation (Tc = 25°C)  
C
TOSHIBA  
2-21F2C  
Junction temperature  
T
150  
°C  
°C  
j
Weight: 9.75 g (typ.)  
Storage temperature range  
T
−55 to 150  
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Equivalent Circuit  
Marking  
Collector  
Emitter  
Part No. (or abbreviation code)  
Lot No.  
TOSHIBA  
GT40T302  
Gate  
JAPAN  
A line indicates  
Lead(Pb)-Free Finish  
1
2008-12-26  
123456

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与GT40T302相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GT40T321 TOSHIBA

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 		Consumer Application Voltage Resonance Inverter Switching Application
GT40WR21 TOSHIBA

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 		Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
GT410 CDE

获取价格

 		Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 3000V, 5% +Tol, 5% -Tol, SL, 500ppm/Cel TC, 0.0000
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