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GT40T102 PDF预览

GT40T102

更新时间： 2024-11-18 21:22:39
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网栅双极性晶体管功率控制
页数 文件大小 规格书
5页 240K
描述
TRANSISTOR 40 A, 1500 V, N-CHANNEL IGBT, 2-21F2C, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor

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GT40T102 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.73外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：40 A集电极-发射极最大电压：1500 V
配置：SINGLEJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：600 ns
标称接通时间 (ton)：450 nsBase Number Matches：1

GT40T102 数据手册

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GT40T102  
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT  
GT40T102  
Parallel Resonance Inverter Switching Applications  
Unit: mm  
•
•
•
Enhancement-mode  
High speed: t = 0.25 µs (typ.) (@I = 40 A)  
f
C
Low saturation voltage: V  
= 3.7 V (typ.) (@I = 40 A)  
C
CE (sat)  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Gate-emitter voltage  
V
V
1500  
±25  
40  
V
V
CES  
GES  
DC  
Collector current  
I
C
A
1 ms  
I
80  
CP  
Collector power dissipation  
P
200  
W
C
(Tc = 25°C)  
Junction temperature  
T
150  
°C  
°C  
j
JEDEC  
―
―
Storage temperature range  
T
−55~150  
stg  
JEITA  
TOSHIBA  
Weight: 9.75 g  
2-21F2C  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Gate leakage current  
Symbol  
Test Condition  
Min  
4.0  
Typ.  
Max  
Unit  
I
I
V
V
= ±25 V, V = 0  
±500  
1.0  
nA  
mA  
V
GES  
GE  
CE  
CE  
Collector cut-off current  
= 1500 V, V  
= 0  
GE  
CES  
Gate-emitter cut-off voltage  
Collector-emitter saturation voltage  
Input capacitance  
V
I
I
= 40 mA, V = 5 V  
7.0  
GE (OFF)  
C
C
CE  
V
= 40 A, V  
= 15 V  
GE  
3.7  
5.0  
V
CE (sat)  
C
ies  
V
= 10 V, V = 0, f = 1 MHz  
GE  
2900  
pF  
CE  
Rise time  
t
0.40  
0.45  
0.23  
0.6  
r
51 Ω  
Turn-on time  
Switching time  
t
on  
15 V  
0
−15 V  
µs  
Fall time  
t
0.40  
f
600 V  
Turn-off time  
t
off  
Thermal resistance  
R
0.625 °C/W  
th (j-c)  
1
2002-01-18  
12345

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